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Votre quête  [ gan ]  correspondance 198 PRODUITS

6 pouces 4H-N Carbure de silicium SiC Substrate Dia 150 mm Épaisseur 350um 500um N Type Prime Grade Dummy Grade

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4 pouces Saffire Wafer Saffire Substrate Al2o3 Wafer 9,0 mohs Transparent Ssp C-Axis

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Wafer de graines de SiC d'épaisseur de 8 pouces 600±50um de type 4H de qualité de production pour la croissance des cristaux de carbure de silicium

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Matériau composite diamant-cuivre à haute conductivité thermique

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acheter Équipement de technologie laser à microjet pour trancher des plaquettes métalliques en carbure de silicium fabrication en ligne Vidéo

Équipement de technologie laser à microjet pour trancher des plaquettes métalliques en carbure de silicium

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acheter Saphir cultivé en cristal boule Saphir ingot méthode KY Kyropoulos 80 kg à 300 kg fabrication en ligne Vidéo

Saphir cultivé en cristal boule Saphir ingot méthode KY Kyropoulos 80 kg à 300 kg

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acheter TGV Saphir Wafer Substrate de verre perforé à travers le verre via TGV personnalisé fabrication en ligne Vidéo

TGV Saphir Wafer Substrate de verre perforé à travers le verre via TGV personnalisé

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Wafer DSP en saphir de 4 pouces Diamètre 100 mm Épaisseur 500 μm Ra ≤ 0,2 nm Pour les micro-LED

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Barres de saphir petite taille 99,999% Al2O3 personnalisé 90% de transmission pour les biosensors

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Les grains de graines de cristal SiC Dia 205 203 208 Croissance de la PVT/HTCVD au niveau de la production

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L'écart entre les deux types d'équipements est de 0,8 mm.

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Wafer de saphir 2 "Diamètre 50,8 mm ± 0,1 mm Épaisseur 350um plan C

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