Votre quête [ Sic 6H P ] correspondance
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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser
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2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut
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Wafer au carbure de silicium Sic 6H-P Type hors axe 2,0° vers la production Grade de recherche
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6H-P Carbure de silicium SiC Substrate 6 pouces SIC Wafer 4H-P Pour les appareils optoélectroniques
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6 pouces de carbure de silicium 6H-P pour les systèmes de communication et de radar
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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice
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CVD SiC épitaxy Wafer 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces épaisseur épitaxy 2,5 à 120 um pour l' électronique