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Bon prix 2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production en ligne
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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser

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6H-P Carbure de silicium SiC Substrate 6 pouces SIC Wafer 4H-P Pour les appareils optoélectroniques

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Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

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Wafer au carbure de silicium Sic 6H-P Type hors axe 2,0° vers la production Grade de recherche

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6 pouces de carbure de silicium 6H-P pour les systèmes de communication et de radar

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Wafer SIC au carbure de silicium 10*10 mm 6H-P Épaisseur 350 μm Pour appareils à haute puissance

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Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice

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4H-P Carbure de silicium SiC Substrate 4 pouces SIC Wafer 6H-P Pour le dépôt de nitrure III-V

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Pour la fabrication de plaquettes de carbure de silicium 6H de type P, qualité de production standard:145Épaisseur 350 μm ± 25 μm

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Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces

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acheter Substrat SiC 4H-SEMI 2 pouces Épaisseur 350um 500um Qualité Prime/Dummy Verres AR Qualité Optique fabrication en ligne Vidéo

Substrat SiC 4H-SEMI 2 pouces Épaisseur 350um 500um Qualité Prime/Dummy Verres AR Qualité Optique

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Substrate SiC au carbure de silicium 4H-N 8 pouces Épaisseur 350um 500um Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice

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