Votre quête [ Sic 6H P ] correspondance
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Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais 350um de qualité Prime de qualité Dummy
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Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance
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Substrate SiC 4H-N épaisseur 350um utilisé dans les matériaux de semi-conducteurs optoélectroniques
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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production
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Diamètre de la gaufre épitaxienne SiC de 6 pouces 150 mm 4H-N Type 4H-P Type pour la communication 5G
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Substrate de gaufre épitaxienne SiC Applications industrielles de semi-conducteurs 4H-N
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de 2inch 4inch 6inch 8Inch de silicium de carbure de gaufrette catégorie principale de recherches factices de gaufrettes sic
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Dureté de la lentille 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de gaufrette sic polie par 4H-SEMI pour le matériel de dispositif
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Le four de culture de lingots SiC utilise les méthodes PVT, Lely TSSG et LPE pour faire pousser des cristaux de grande taille de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces
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4 pouces 4H-N Silicium Carbide SiC Substrate Dia 100mm N type Prime Grade Dummy Grade Épaisseur 350um personnalisée
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2 pouces 4H-N Silicium Carbide SiC Substrate épaisseur 350um 500um Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice
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Disque de coupe de substrat SiC 4H-SEMI Dia 10 mm Épaisseur 5 mm <0001> Haute dureté