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Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G
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Carbure de silicium (SiC) Substrate 6 pouces 8 pouces gaufre de qualité d'essai pour la découpe laser
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Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance
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SiC Carbure de silicium plateaux céramiques détenteur de gaufre ICP Processus de gravure pour le traitement de la croissance épitaxienne
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4'' 5' SiO2 Single Crystal IC Chips Méthode CZ 500um 1mm Couche d'oxydation 500nm 2μM
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SiC Ceramic End Effector for Wafer Handling - Corrosion & Heat Resistant for Semiconductor Processing
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Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics
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Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C
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Équipement laser à micro-jet pour l'arrondi des gaufres en carbure de silicium et le découpage des gaufres à base de silicium
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Calibre de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir
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Substrats en carbure de silicium semi-isolants de haute pureté - Solutions de plaquettes multi-diamètres (2" à 8")
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gaufrette de calibre de GaN AlN de nitrure de gallium de 2inch 4Inch sur le saphir, substrats de SI