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12 pouces plaquette de saphir substrat de saphir plaquette Al2O3 9,0Mohs transparente SSP DSP axe C

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Wafer Sic au carbure de silicium de 4 pouces de type 4H-P Diamètre 100 mm Épaisseur 350 μm Grade de recherche

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Wafer de graines de SiC d'épaisseur de 8 pouces 600±50um de type 4H de qualité de production pour la croissance des cristaux de carbure de silicium

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