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Machine de découpe au fil diamanté / multifil / haute vitesse / haute précision / descendant / oscillant

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Al2O3 Wafer saphir monocristallin Diamètre 2 pouces 3 pouces personnalisation

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Plaquette épitaxiale SiC 8 pouces, diamètre 200 mm, épaisseur 500 µm, type 4H-N

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Diamètre de la tranche de quartz de 8 pouces 200 mm TTV ≤10μm Ra ≤1,0 Nm pour capteurs de haute précision

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Plaquette épitaxiale SiC de type 4H-N de 2 pouces de diamètre (50,8 mm) pour capteurs haute température

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Diamètre de la gaufre épitaxienne SiC de 6 pouces 150 mm 4H-N Type 4H-P Type pour la communication 5G

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Équipement de découpe de céramique Découpe au fil diamanté monofil/multifil

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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production

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Cloches en quartz personnalisées avec options de revêtement pour générateurs de plasma pour semi-conducteurs

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Wafer saphir 60/40 surface et protection DSP monocristalline

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Équipement de polissage à face unique de haute précision pour les plaquettes Si/SiC/saphir

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