Votre quête [ SiC MOSFET ] correspondance
75 PRODUITS
Métode PVT du four de croissance à faible consommation d'énergie 6 pouces 8 pouces 12 pouces
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Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G
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Substrats en carbure de silicium 4H-N de haute qualité (12 pouces/300 mm) pour dispositifs haute puissance
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2 pouces 6H - semi consommation de puissance faible de gaufrette de carbure de silicium pour le détecteur
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4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiCOI Wafers composite SiC sur les substrats isolants
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Ligne de polissage de plaquettes de silicium et de SiC de 6 à 8 pouces avec quatre têtes et montage en boucle fermée
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type de 2inch 3inch Dia100m 4H-N catégorie de production de gaufrette de carbure de silicium pour le dispositif de semi-conducteur
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Machine de découpe à fil de diamant à trois stations à fil unique pour le traitement du SiC / du saphir / du silicium
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Wafer de carbure de silicium 4H P-type zéro MPD de qualité de production de qualité 4 pouces 6 pouces
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Pour la fabrication de plaquettes de carbure de silicium 6H de type P, qualité de production standard:145Épaisseur 350 μm ± 25 μm
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Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces
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Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs