Votre quête [ SiC MOSFET ] correspondance
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Plaquette épitaxiale SiC 6 pouces ultra-haute tension 100–500 µm pour dispositifs MOSFET
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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice
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Les grains de graines de cristal SiC Dia 205 203 208 Croissance de la PVT/HTCVD au niveau de la production
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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production
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8 pouces SiC Epitaxial Substrate MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grand diamètre
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Diamètre de la gaufre épitaxienne SiC de 6 pouces 150 mm 4H-N Type 4H-P Type pour la communication 5G
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Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance
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Plaquette épitaxiale SiC 4 pouces 4H-N Diamètre 100mm Épaisseur 350μm Qualité Prime
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Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance
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Wafer de graines SiC 4H N Type Dia 153 155 2 pouces-12 pouces personnalisé pour la fabrication de MOSFET
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Wafer épitaxial SiC de 4H 6 pouces 100 μm/200 μm/300 μm pour appareil MOS à ultra-haute tension (UHV)
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Plaquette épitaxiale SiC 8 pouces, diamètre 200 mm, épaisseur 500 µm, type 4H-N