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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

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InP FP epiwafer InP substrat n/p type 2 3 4 pouces avec une épaisseur de 350-650um pour le travail des réseaux optiques

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Cristaux de saphir et fourneau de cristallisation kyropoulos

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Gaufrette de nitrure de gallium de gaufrette de GaN d'efficacité de puissance élevée pour l'éclairage de rendement optimum

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Semi - gaufrette isolante non dopée HVPE de nitrure de gallium et type de calibre

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Haute ouverture de dégagement Sapphire Wafer 50,8 - 300mm avec le dégagement de >90%

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Wafer épitaxial SiC de 4H 6 pouces 100 μm/200 μm/300 μm pour appareil MOS à ultra-haute tension (UHV)

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SiC Cantilever Paddle with CVD Coating for Horizontal Boat Loading

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SiC Horizontal Furnace Process Tube High Thermal Conductivity

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SiC Square Beams Industrial Kiln Load-Bearing Component

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

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2°Off C - saphir synthétique Epi en verre d'axe - substrats prêts 2 po. de diamètre 50.8mm

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