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Bon prix Wafer en carbure de silicium de 2 pouces SIC de type 4H-N pour appareil MOS Dia 0,4 mm en ligne
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4' 6' AIN sur les substrats de silicium SSP DSP Wafers semi-conducteurs 100nm 200nm couche

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la couche mince de la X-coupe LN 400nm LiNbO3 de 4inch 6inch sur le substrat de silicium

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Les défauts de gaufrette de silicium d'IC libèrent la planéité <50um de 0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725mm

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Gaufrette de silicium d'IC avec la planéité <50um aucun défauts

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Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium

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Le double côté a poli la lentille adaptée aux besoins du client de la gaufrette de silicium d'IC SI pour la lentille optique

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Noir polysilicium de 8 de pouce d'IC de silicium de gaufrette lingots de silicium pour le processus de semi-conducteur

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Si Wafer de silicium 8 pouces Diamètre 200 mm <111>Épaisseur 700um P Type N Type Polissage unique Polissage double

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4'' 200nm AlScN sur les plaquettes de silicium SSP DSP Substrats épitaxiaux pour les appareils LED

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