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4H-P Carbure de silicium SiC Substrate 4 pouces SIC Wafer 6H-P Pour le dépôt de nitrure III-V

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Substrate SiC au carbure de silicium 4H-N 8 pouces Épaisseur 350um 500um Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice

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6 pouces 4H-N Carbure de silicium SiC Substrate Dia 150 mm Épaisseur 350um 500um N Type Prime Grade Dummy Grade

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