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Wafer saphir 60/40 surface et protection DSP monocristalline

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Système de séparation laser de substrats SiC de 6 pouces à 12 pouces pour plaquettes personnalisées

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4H-N SiC:Polire SSP/DSP d'épaisseur personnalisée, disponibles pour les onduleurs photovoltaïques et de stockage d'énergie

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Instrument d'orientation de la gaufre basé sur XRD pour la détermination de l'angle de coupe de haute précision

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Machine de découpe monofilaire au fil diamanté pour SiC/Saphir/Quartz/Matériau céramique

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High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

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Les grains de graines de cristal SiC Dia 205 203 208 Croissance de la PVT/HTCVD au niveau de la production

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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production

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Plaquette épitaxiale SiC 8 pouces, diamètre 200 mm, épaisseur 500 µm, type 4H-N

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Effectateur de fin de porteuse en céramique Sic personnalisé pour la manipulation des wafers

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Le double côté a poli le diamètre fait sur commande optique φ350mm de taille de Windows de saphir

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6inch Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 Crystal Optical Transparency simple

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