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catégorie de production de gaufrette de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate pour des dispositifs de radiofréquence

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6 pouces 4H-N Carbure de silicium SiC Substrate Dia 150 mm Épaisseur 350um 500um N Type Prime Grade Dummy Grade

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Wafer de graines de SiC d'épaisseur de 8 pouces 600±50um de type 4H de qualité de production pour la croissance des cristaux de carbure de silicium

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