Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces
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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice
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