Machine carrée monocristalline au silicium à double station 6/8/12 pouces à fente ≤ 0,5 mm haute précision ± 0,05 mm
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Substrat en carbure de silicium de type N 6H, 2 pouces, optoélectronique, croissance du nitrure de gallium
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Wafer de carbure de silicium de type N de 4 pouces avec plusieurs options d'épaisseur pour les groupes motopropulseurs de VE et les entraînements de moteur haute densité
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Plaquette SiC HPSI 2-12 pouces de qualité optique pour lunettes IA/RA
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Wafer de carbure de silicium 4 pouces de diamètre x 350 µm type 4H-N grade P/R/D pour MOSEFTs/SBD/JBS
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Lingot de carbure de silicium de 6 pouces avec champ de claquage élevé, conductivité thermique et large bande interdite pour l'électronique de puissance
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12 pouces de diamètre 300 mm SIC Substrate épitaxial Wafer poli Silicium Carbide Ingot Prime Grade 4H-N Type conducteur solaire photovoltaïque