type de 2inch 3inch Dia100m 4H-N catégorie de production de gaufrette de carbure de silicium pour le dispositif de semi-conducteur
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5x40mm adaptés aux besoins du client forment les gaufrettes sic en cristal 4 puces de H-N Sic Substrates
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Substrat en céramique de catalyseur des gaufrettes DSP de 4H-N 5x5mm sic
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De 4 H-N Production Grade Dummy de catégorie gaufrette 8inch Dia200mm de substrat sic
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Matériel de semi-conducteur de gaufrettes de 4H-N 4inch 6inch sic pour SBD MOS Device
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2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production
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Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces
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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser
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2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut
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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice
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