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Bon prix SiC semi-isolant sur un substrat de Wafer 4H-SEMI composé de Si de type P de type N d'épaisseur 500 mm en ligne
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Semi - substrat isolant de carbure de silicium, sic grande pureté de la gaufrette 4H

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Type conducteur fait sur commande sic gaufrette pour photovoltaïque solaire à haute tension à hautes températures de dispositif de puissance

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HPSI Wafers SiC à haute pureté semi-isolantes de 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " de qualité primaire / factice / recherche

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Wafer épitaxial SiC de 4H 6 pouces 100 μm/200 μm/300 μm pour appareil MOS à ultra-haute tension (UHV)

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