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Bon prix 8 pouces SiC Epitaxial Substrate MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grand diamètre en ligne
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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

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12 pouces Sic Wafer Carbure de silicium 4H-N Type Grade de production Fausse qualité Grande taille

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6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production

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2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut

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6 pouces de carbure de silicium 6H-P pour les systèmes de communication et de radar

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6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Zéro MPD Production, qualité de production standard

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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser

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De grande pureté de silicium de carbure gaufrette non dopée sic, substrat de carbure de silicium de 6Inch 4H-Semi sic

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SiC ingot de 6 pouces Ingot 4H-N SiC de première qualité Ingot de carbure de silicium de qualité fausse Ingot de haute dureté Ingot

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Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G

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gaufrettes de GaN-SUR-SIC EPI de gaufrette de nitrure de gallium de 4inch 6inch

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SiC semi-isolant sur un substrat de Wafer 4H-SEMI composé de Si de type P de type N d'épaisseur 500 mm

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