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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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gaufrettes de GaN-SUR-SIC EPI de gaufrette de nitrure de gallium de 4inch 6inch

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SiC semi-isolant sur un substrat de Wafer 4H-SEMI composé de Si de type P de type N d'épaisseur 500 mm

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2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production

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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

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Wafer en carbure de silicium 5*5mm/10*10mm de type 4H-P de qualité de production pour électronique de puissance

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Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice

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Wafer SIC au carbure de silicium 10*10 mm 6H-P Épaisseur 350 μm Pour appareils à haute puissance

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Lentille optique Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forme et taille personnalisée 6SP Épaisseur 10.05

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Plaquette épitaxiale SiC 8 pouces, diamètre 200 mm, épaisseur 500 µm, type 4H-N

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2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production

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Diamètre de la gaufre épitaxienne SiC de 6 pouces 150 mm 4H-N Type 4H-P Type pour la communication 5G

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