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Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

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Wafer en carbure de silicium de 2 pouces 4H-P SIC pour photovoltaïque Épaisseur 350 μm Diamètre 50,8 mm Grade zéro

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Wafer Sic au carbure de silicium de 4 pouces de type 4H-P Diamètre 100 mm Épaisseur 350 μm Grade de recherche

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CVD SiC épitaxy Wafer 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces épaisseur épitaxy 2,5 à 120 um pour l' électronique

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Dureté adaptée aux besoins du client de substrat de carbure de silicium de taille 9,4 sic parts pour l'équipement

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12 pouces 300 mm SiC Wafer de carbure de silicium 4H-N Type Dummy Prime de recherche de qualité multiples applications

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Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics

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type de 2inch 3inch Dia100m 4H-N catégorie de production de gaufrette de carbure de silicium pour le dispositif de semi-conducteur

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4H-N Type SiC Substrate 10x10mm Wafer for Power Electronics

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acheter 2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice fabrication en ligne

2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

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12 pouces Sic Wafer Carbure de silicium 4H-N Type Grade de production Fausse qualité Grande taille

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2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut

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acheter 6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production fabrication en ligne

6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production

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SiC ingot de 6 pouces Ingot 4H-N SiC de première qualité Ingot de carbure de silicium de qualité fausse Ingot de haute dureté Ingot

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6 pouces de carbure de silicium 6H-P pour les systèmes de communication et de radar

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6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Zéro MPD Production, qualité de production standard

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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser

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