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2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut
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6 pouces de carbure de silicium 6H-P pour les systèmes de communication et de radar
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6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Zéro MPD Production, qualité de production standard
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De grande pureté de silicium de carbure gaufrette non dopée sic, substrat de carbure de silicium de 6Inch 4H-Semi sic
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SiC ingot de 6 pouces Ingot 4H-N SiC de première qualité Ingot de carbure de silicium de qualité fausse Ingot de haute dureté Ingot
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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser
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Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G
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gaufrettes de GaN-SUR-SIC EPI de gaufrette de nitrure de gallium de 4inch 6inch
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2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production
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SiC semi-isolant sur un substrat de Wafer 4H-SEMI composé de Si de type P de type N d'épaisseur 500 mm
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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance
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Wafer en carbure de silicium 5*5mm/10*10mm de type 4H-P de qualité de production pour électronique de puissance