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8 pouces SiC Epitaxial Substrate MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grand diamètre

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Wafer en carbure de silicium 55mm/1010mm de type 4H-P de qualité de production pour électronique de puissance

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Wafer SIC au carbure de silicium 10*10 mm 6H-P Épaisseur 350 μm Pour appareils à haute puissance

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Lentille optique Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forme et taille personnalisée 6SP Épaisseur 10.05

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Plaquette épitaxiale SiC 8 pouces, diamètre 200 mm, épaisseur 500 µm, type 4H-N

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2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

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Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production

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Diamètre de la gaufre épitaxienne SiC de 6 pouces 150 mm 4H-N Type 4H-P Type pour la communication 5G

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Plaquette épitaxiale SiC de type 4H-N de 2 pouces de diamètre (50,8 mm) pour capteurs haute température

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Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

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Plaquette épitaxiale SiC 4 pouces 4H-N Diamètre 100mm Épaisseur 350μm Qualité Prime

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Wafer en carbure de silicium de 2 pouces 4H-P SIC pour photovoltaïque Épaisseur 350 μm Diamètre 50,8 mm Grade zéro

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