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2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production

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SiC semi-isolant sur un substrat de Wafer 4H-SEMI composé de Si de type P de type N d'épaisseur 500 mm

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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

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Wafer en carbure de silicium 55mm/1010mm de type 4H-P de qualité de production pour électronique de puissance

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Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice

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Wafer SIC au carbure de silicium 10*10 mm 6H-P Épaisseur 350 μm Pour appareils à haute puissance

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Lentille optique Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forme et taille personnalisée 6SP Épaisseur 10.05

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Plaquette épitaxiale SiC 8 pouces, diamètre 200 mm, épaisseur 500 µm, type 4H-N

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2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production

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Diamètre de la gaufre épitaxienne SiC de 6 pouces 150 mm 4H-N Type 4H-P Type pour la communication 5G

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Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

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Plaquette épitaxiale SiC de type 4H-N de 2 pouces de diamètre (50,8 mm) pour capteurs haute température

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Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

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Plaquette épitaxiale SiC 4 pouces 4H-N Diamètre 100mm Épaisseur 350μm Qualité Prime

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Wafer en carbure de silicium de 2 pouces 4H-P SIC pour photovoltaïque Épaisseur 350 μm Diamètre 50,8 mm Grade zéro

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Wafer épitaxial SiC de 4H 6 pouces 100 μm/200 μm/300 μm pour appareil MOS à ultra-haute tension (UHV)

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Composant optique à miroir SiC à haute pureté poli à double face pour micro-miroir MEMS

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Fenêtres optiques carrées personnalisées en cristal de carbure de silicium Moissanite verte, haute dureté

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Plaquette épitaxiale SiC 6 pouces ultra-haute tension 100–500 µm pour dispositifs MOSFET

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Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline

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gaufrette 10 x 10 x 0.5mm de carbure de silicium de 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

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Les roulements à billes en céramique SiC G5 de haute dureté

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2" 3" 4" 6" principaux de 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic de substrat de silicium de carbure gaufrette sic

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Adapté aux besoins du client GaN-sur-GaN sic le diamètre 100mm de Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch de silicium

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acheter 2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice fabrication en ligne

2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

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12 pouces Sic Wafer Carbure de silicium 4H-N Type Grade de production Fausse qualité Grande taille

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acheter 6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production fabrication en ligne

6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production

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