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4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade

Détails de produit

Lieu d'origine: Chine

Nom de marque: ZMSH

Numéro de modèle: 4H-N SiC

Conditions de paiement et d'expédition

Délai de livraison: 2 à 4 semaines

Conditions de paiement: T/T

Obtenez le meilleur prix
Mettre en évidence:

Substrate à base de silicium 350um

,

Substrate à SiC de 100 mm

,

Substrate SiC de 4 pouces

Matériel:
Monocristal de SiC
Le type:
4h-n
taille:
4 pouces
Épaisseur:
350 mm
Grade:
Grade P ou D
Personnalisation:
Soutenue
Matériel:
Monocristal de SiC
Le type:
4h-n
taille:
4 pouces
Épaisseur:
350 mm
Grade:
Grade P ou D
Personnalisation:
Soutenue
4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade

Description du produit

 

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade

Le carbure de silicium (SiC), communément appelé carbure de silicium, est un composé formé en combinant le silicium et le carbone.qui est largement utilisé dans les matériaux semi-conducteursLe carbure de silicium n'est qu'un diamant en dureté, ce qui en fait un excellent outil d'abrasion et de coupe.Une bonne conductivité thermique le rend adapté aux applications à haute température telles que les LED et l'électronique de puissance. Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis. Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis. Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis.En raison de ses propriétés supérieures, les cristaux de graines de carbure de silicium sont devenus un matériau indispensable dans l'industrie et la technologie modernes.
 
4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 0

 

La gaufre en carbure de silicium (SiC) 4H-N de 4 pouces est un matériau semi-conducteur avec une structure cristalline polytypée 4H.

Il est généralement orienté comme (0001) face Si ou (000-1) face C.

Ces plaquettes sont de type N, dopées d'azote, et ont une épaisseur d'environ 350 μm.

La résistivité de ces plaquettes est généralement comprise entre 0,015 et 0,025 ohm·cm, et elles présentent souvent une surface polie d'un ou des deux côtés.

 


 

 

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 14H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 2

 

Les plaquettes en carbure de silicium sont réputées pour leur excellente conductivité thermique.

Et aussi pour une large bande passante de 3,23 eV, un champ électrique de rupture élevée, et une mobilité électronique significative.

Ils présentent une dureté élevée, ce qui les rend résistants à l'usure et aux chocs thermiques, et ont une stabilité chimique et thermique exceptionnelle.

Ces propriétés rendent les plaquettes SiC adaptées aux applications dans des environnements difficiles, y compris les appareils électroniques à haute puissance, à haute température et à haute fréquence.

 


 

Caractéristiques de la plaque SiC:

Nom du produit: Substrate de carbure de silicium (SiC)

Structure hexagonale: propriétés électroniques uniques.

Large bande passante: 3,23 eV, permettant un fonctionnement à haute température et une résistance aux rayonnements

Haute conductivité thermique: facilite une dissipation de chaleur efficace

Champ électrique à décomposition élevée: permet un fonctionnement à haute tension avec une fuite réduite

Haute mobilité électronique: améliore les performances des appareils RF et de puissance

Faible densité de dislocation: améliore la qualité du matériau et la fiabilité du dispositif

Haute dureté: résistant à l'usure et aux contraintes mécaniques

Excellente stabilité chimique: résistant à la corrosion et à l'oxydation

Haute résistance aux chocs thermiques: Maintient son intégrité en cas de changements rapides de température

 

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 3

 


 

Paramètres techniques des plaquettes en SiC:

 

Diamètre 4 pouces (100 mm)
Les orientations En dehors de l'axe: 4,0° vers < 1120 > ± 0,5° pour 4H-N
Épaisseur 350 μm ± 20 μm
Résistance 0.015-0.028 Q-cm
Densité des micropipes P: < 2 cm^­2; D: < 15 cm^­2
Finition de surface DSP ou SSP
Concentration du transporteur 1 x 10^18 cm^-3 ~ 1 x 10^19 cm^-3
Roughness de la surface Ra polonais ≤ 1 nm

 


 

Applications pour les plaquettes SiC:

 

Les substrats de SiC (carbure de silicium) sont utilisés dans diverses applications hautes performances en raison de leurs propriétés uniques telles qu'une conductivité thermique élevée, une résistance élevée au champ électrique et une large bande passante.Voici quelques applications:

 

1électronique

 

MOSFET: pour une conversion de puissance efficace, capable de gérer des tensions et des courants élevés.

Diodes Schottky: Utilisées dans les redresseurs de puissance et les applications de commutation, offrant une faible chute de tension avant et une commutation rapide.

JFET: idéal pour la commutation et l'amplification de la puissance haute tension.

 

2. Appareils RF

 

Amplificateurs RF: Améliore les performances dans les télécommunications, en particulier dans les gammes de haute fréquence.

MMIC (monolithique micro-ondes circuits intégrés): Utilisé dans les systèmes de radar, les communications par satellite, et d'autres applications à haute fréquence.

 

3. Substrats à LED

 

LED à haute luminosité: Ses excellentes propriétés thermiques le rendent adapté à des applications d'éclairage et d'affichage à haute intensité.

 

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 44H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 5

 

 


 

Personnalisation des plaquettes SiC:

Nous pouvons personnaliser la taille du substrat SiC pour répondre à vos besoins spécifiques.

Nous proposons également une gaufre SiC 4H-Semi HPSI avec une taille de 10x10 mm ou 5x5 mm et un type 6H-N,6H-Semi.

Le prix est déterminé par le cas, et les détails de l'emballage peuvent être personnalisés selon vos préférences.

Nous acceptons le paiement par T/T.

 

C'est celui de la personnalisation.

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 6

 

 


 

Assistance et services pour les plaquettes SiC:

 

Notre produit SiC Substrate est livré avec un support technique et des services complets pour assurer des performances optimales et la satisfaction du client.

Notre équipe d'experts est disponible pour vous aider dans la sélection, l'installation et le dépannage des produits.

Nous offrons une formation et une éducation sur l'utilisation et la maintenance de nos produits pour aider nos clients à maximiser leur investissement.

En outre, nous fournissons des mises à jour et des améliorations de produits en cours pour garantir à nos clients un accès constant aux dernières technologies.

 

 


Recommandation de produits concurrents

 

Le premier.

 

Nous sommes fiers d'offrir des plaquettes SiC de 8 pouces, les plus grandes disponibles, à des prix compétitifs et d'excellente qualité.ce qui en fait le choix idéal pour les applications de semi-conducteurs haute performanceRestez à l'avant avec notre technologie de pointe!

 

Substrate de semi-conducteurs de 4H-N de 8 pouces SIC Wafer au carbure de silicium pour photovoltaïque solaire

 

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 7

(Cliquez sur l'image pour plus de détails)

 

Deuxième

 

Notre large gamme de plaquettes SiC comprend les types 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI, HPSI, 4H-P et 6H-P, répondant à divers besoins industriels.Ces plaquettes de haute qualité offrent d'excellentes performances pour l'électronique de puissance et les applications à haute fréquence, offrant une flexibilité et

la fiabilité des technologies de pointe.

 

Type 14H-N

 

4H-N 4 pouces de nitrure de silicium SiC substrat de qualité factice SiC substrat pour appareils à haute puissance

 

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 8

(Cliquez sur l'image pour plus de détails)

 

Type 26H-N

2 pouces de substrat Sic 6H-N épaisseur de type 350um 650um Wafer SiC

 

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 9

(Cliquez sur l'image pour plus de détails)

 

Type 34H-SEMI

 

Plaquettes SIC de haute pureté de 4" 4H-Semi, semi-conducteurs de qualité supérieure, substrats EPI

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 10

(Cliquez sur l'image pour plus de détails)

 

Type 4HPSI

 

10x10x0,5 mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Substrate de plaquettes au carbure de silicium

 

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 11

(Cliquez sur l'image pour plus de détails)

 

Type 54H-P 6H-P

 

Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces

 

4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade 12

(Cliquez sur l'image pour plus de détails)

 
 

 

FAQ sur les plaquettes SiC:

 

1 Q: Quelle est la performance du 4H-N SiC par rapport à celle du GaN (nitrure de gallium) dans des applications similaires?
R: Le SiC 4H-N et le GaN sont utilisés dans les applications à haute puissance et à haute fréquence, mais le SiC offre généralement une conductivité thermique et une tension de rupture plus élevées,tandis que GaN fournit une plus grande mobilité électroniqueLe choix dépend des exigences spécifiques de l'application.
En plus, nous fournissons aussi des gaines de GaN.
 
2. Q: Y a-t-il des alternatives au 4H-N SiC pour des applications similaires?
R: Les alternatives comprennent le GaN (nitrure de gallium) pour les applications à haute fréquence et de puissance et d'autres polytypes de SiC comme le 6H-SiC.Chaque matériau présente ses propres avantages en fonction des besoins spécifiques de l'application.
 
3 Q: Quel est le rôle du dopage d'azote dans les plaquettes 4H-N SiC?
R: Le dopage à l'azote introduit des électrons libres, ce qui rend la galette de type N. Cela améliore la conductivité électrique et les performances des dispositifs semi-conducteurs fabriqués à partir de la galette.
 

 

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