Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: 4H-N SiC
Conditions de paiement et d'expédition
Délai de livraison: 2 à 4 semaines
Conditions de paiement: T/T
Matériel: |
Monocristal de SiC |
Le type: |
4h-n |
taille: |
4 pouces |
Épaisseur: |
350 mm |
Grade: |
Grade P ou D |
Personnalisation: |
Soutenue |
Matériel: |
Monocristal de SiC |
Le type: |
4h-n |
taille: |
4 pouces |
Épaisseur: |
350 mm |
Grade: |
Grade P ou D |
Personnalisation: |
Soutenue |
4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade
4H-N Silicium Carbide SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Prime Grade Dummy Grade
La gaufre en carbure de silicium (SiC) 4H-N de 4 pouces est un matériau semi-conducteur avec une structure cristalline polytypée 4H.
Il est généralement orienté comme (0001) face Si ou (000-1) face C.
Ces plaquettes sont de type N, dopées d'azote, et ont une épaisseur d'environ 350 μm.
La résistivité de ces plaquettes est généralement comprise entre 0,015 et 0,025 ohm·cm, et elles présentent souvent une surface polie d'un ou des deux côtés.
Les plaquettes en carbure de silicium sont réputées pour leur excellente conductivité thermique.
Et aussi pour une large bande passante de 3,23 eV, un champ électrique de rupture élevée, et une mobilité électronique significative.
Ils présentent une dureté élevée, ce qui les rend résistants à l'usure et aux chocs thermiques, et ont une stabilité chimique et thermique exceptionnelle.
Ces propriétés rendent les plaquettes SiC adaptées aux applications dans des environnements difficiles, y compris les appareils électroniques à haute puissance, à haute température et à haute fréquence.
Nom du produit: Substrate de carbure de silicium (SiC)
Structure hexagonale: propriétés électroniques uniques.
Large bande passante: 3,23 eV, permettant un fonctionnement à haute température et une résistance aux rayonnements
Haute conductivité thermique: facilite une dissipation de chaleur efficace
Champ électrique à décomposition élevée: permet un fonctionnement à haute tension avec une fuite réduite
Haute mobilité électronique: améliore les performances des appareils RF et de puissance
Faible densité de dislocation: améliore la qualité du matériau et la fiabilité du dispositif
Haute dureté: résistant à l'usure et aux contraintes mécaniques
Excellente stabilité chimique: résistant à la corrosion et à l'oxydation
Haute résistance aux chocs thermiques: Maintient son intégrité en cas de changements rapides de température
Diamètre | 4 pouces (100 mm) |
Les orientations | En dehors de l'axe: 4,0° vers < 1120 > ± 0,5° pour 4H-N |
Épaisseur | 350 μm ± 20 μm |
Résistance | 0.015-0.028 Q-cm |
Densité des micropipes | P: < 2 cm^2; D: < 15 cm^2 |
Finition de surface | DSP ou SSP |
Concentration du transporteur | 1 x 10^18 cm^-3 ~ 1 x 10^19 cm^-3 |
Roughness de la surface | Ra polonais ≤ 1 nm |
Les substrats de SiC (carbure de silicium) sont utilisés dans diverses applications hautes performances en raison de leurs propriétés uniques telles qu'une conductivité thermique élevée, une résistance élevée au champ électrique et une large bande passante.Voici quelques applications:
1électronique
MOSFET: pour une conversion de puissance efficace, capable de gérer des tensions et des courants élevés.
Diodes Schottky: Utilisées dans les redresseurs de puissance et les applications de commutation, offrant une faible chute de tension avant et une commutation rapide.
JFET: idéal pour la commutation et l'amplification de la puissance haute tension.
2. Appareils RF
Amplificateurs RF: Améliore les performances dans les télécommunications, en particulier dans les gammes de haute fréquence.
MMIC (monolithique micro-ondes circuits intégrés): Utilisé dans les systèmes de radar, les communications par satellite, et d'autres applications à haute fréquence.
3. Substrats à LED
LED à haute luminosité: Ses excellentes propriétés thermiques le rendent adapté à des applications d'éclairage et d'affichage à haute intensité.
Nous pouvons personnaliser la taille du substrat SiC pour répondre à vos besoins spécifiques.
Nous proposons également une gaufre SiC 4H-Semi HPSI avec une taille de 10x10 mm ou 5x5 mm et un type 6H-N,6H-Semi.
Le prix est déterminé par le cas, et les détails de l'emballage peuvent être personnalisés selon vos préférences.
Nous acceptons le paiement par T/T.
C'est celui de la personnalisation.
Notre produit SiC Substrate est livré avec un support technique et des services complets pour assurer des performances optimales et la satisfaction du client.
Notre équipe d'experts est disponible pour vous aider dans la sélection, l'installation et le dépannage des produits.
Nous offrons une formation et une éducation sur l'utilisation et la maintenance de nos produits pour aider nos clients à maximiser leur investissement.
En outre, nous fournissons des mises à jour et des améliorations de produits en cours pour garantir à nos clients un accès constant aux dernières technologies.
Nous sommes fiers d'offrir des plaquettes SiC de 8 pouces, les plus grandes disponibles, à des prix compétitifs et d'excellente qualité.ce qui en fait le choix idéal pour les applications de semi-conducteurs haute performanceRestez à l'avant avec notre technologie de pointe!
Substrate de semi-conducteurs de 4H-N de 8 pouces SIC Wafer au carbure de silicium pour photovoltaïque solaire
(Cliquez sur l'image pour plus de détails)
Deuxième
Notre large gamme de plaquettes SiC comprend les types 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI, HPSI, 4H-P et 6H-P, répondant à divers besoins industriels.Ces plaquettes de haute qualité offrent d'excellentes performances pour l'électronique de puissance et les applications à haute fréquence, offrant une flexibilité et
la fiabilité des technologies de pointe.
Type 14H-N
4H-N 4 pouces de nitrure de silicium SiC substrat de qualité factice SiC substrat pour appareils à haute puissance
(Cliquez sur l'image pour plus de détails)
Type 26H-N
2 pouces de substrat Sic 6H-N épaisseur de type 350um 650um Wafer SiC
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Type 34H-SEMI
Plaquettes SIC de haute pureté de 4" 4H-Semi, semi-conducteurs de qualité supérieure, substrats EPI
(Cliquez sur l'image pour plus de détails)
Type 4HPSI
10x10x0,5 mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Substrate de plaquettes au carbure de silicium
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Type 54H-P 6H-P
Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces
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