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Bon prix Support de plaquette temporaire Sapphire pour le conditionnement avancé de semi-conducteurs en ligne
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4 pouces 6 pouces Barque de cristal de quartz de haute pureté SiO2 Processus de diffusion de gaufres Haute résistance à la température

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L'écart entre les deux types d'équipements est de 0,8 mm.

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Plaquette de saphir 8'' Dia 200mm±0.2mm Épaisseur 725Um Plan C SSP,DSP dureté 9.0

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Al2O3 Wafer de saphir, hors axe C vers M-plan 8°, diamètres: 2" ′′ 8", épaisseur personnalisée

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Plaquette de saphir hors axe C vers plan M 20° Al2O3 Diamètre 2"3"4"6"8" Orientation personnalisée

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