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Bon prix Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C en ligne
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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

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Plaquettes de SiC de haute pureté 4" 4H-Semi, qualité Prime, substrats EPI pour semi-conducteurs, verres AR, qualité optique

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De la catégorie 6inch de silicium de carbure substrats principaux FACTICES d'épaisseur de la gaufrette 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi sic

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