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Semi - substrat isolant de carbure de silicium, sic grande pureté de la gaufrette 4H

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catégorie de production de gaufrette de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate pour des dispositifs de radiofréquence

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adapté aux besoins du client 4 gaufrettes de carbure de silicium des substrats 4inch 6inch de H-N Type Semi-Insulating sic

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330um de l'épaisseur 4 de H-N Type catégorie Dia50.8mm 2inch de production de substrat sic

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2inch monocristal de catégorie de recherches du substrat 4H-Semi du diamètre 50.8mm sic

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Wafer en carbure de silicium 55mm/1010mm de type 4H-P de qualité de production pour électronique de puissance

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Wafer au carbure de silicium Sic 6H-P Type hors axe 2,0° vers la production Grade de recherche

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Gaufrette de carbure de silicium de 3 pouces, sic excellentes caractéristiques passagères de substrat

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6inch type de l'épaisseur 350um 4H N du diamètre 150mm sic substrat pour SBD MOS Application

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type de 2inch 3inch Dia100m 4H-N catégorie de production de gaufrette de carbure de silicium pour le dispositif de semi-conducteur

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2/4/6/8 pouces Sic Carbure de silicium Substrate de graines de cristal 4H-N Type Haute dureté P Grade R Grade D Grade

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