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Plateau en céramique de carbure de silicium de 8 pouces pour le traitement épitaxial de croissance

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Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces

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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

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Gaufrette de carbure de silicium de SIC de substrat de semi-conducteur de 4H-N 8inch pour photovoltaïque solaire

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