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4H-P Carbure de silicium SiC Substrate 4 pouces SIC Wafer 6H-P Pour le dépôt de nitrure III-V

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Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais 350um de qualité Prime de qualité Dummy

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2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, plaquettes de carbure de silicium, SiC 4H-N, de qualité factice, Rrime, de haute dureté, matériaux semi-conducteurs.

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Wafer de carbure de silicium 4H P-type zéro MPD de qualité de production de qualité 4 pouces 6 pouces

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2" 3" 4" 6" principaux de 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic de substrat de silicium de carbure gaufrette sic

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Pour la fabrication de plaquettes de carbure de silicium 6H de type P, qualité de production standard:145Épaisseur 350 μm ± 25 μm

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Plateau en céramique de carbure de silicium de 8 pouces pour le traitement épitaxial de croissance

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Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces

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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

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Gaufrette de carbure de silicium de SIC de substrat de semi-conducteur de 4H-N 8inch pour photovoltaïque solaire

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Wafer en carbure de silicium 55mm/1010mm de type 4H-P de qualité de production pour électronique de puissance

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Wafer au carbure de silicium Sic 6H-P Type hors axe 2,0° vers la production Grade de recherche

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Wafer de carbure de silicium SiC de 8 pouces 4H-N Type P / D / R Grade Mohs.9 Personnalisation de multiples applications

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Les appareils à semi-conducteurs au carbure de silicium ont des formes cristallines multiples 4H 6H 3C

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Wafer en carbure de silicium de 2 pouces SIC de type 4H-N pour appareil MOS Dia 0,4 mm

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Wafers de carbure de silicium 8 pouces 200 mm Substrate de polissage semi-conducteur

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de 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP de silicium 4h-N de carbure gaufrettes extérieures sic

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6H-P Carbure de silicium SiC Substrate 6 pouces SIC Wafer 4H-P Pour les appareils optoélectroniques

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