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catégorie de production de gaufrette de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate pour des dispositifs de radiofréquence

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330um de l'épaisseur 4 de H-N Type catégorie Dia50.8mm 2inch de production de substrat sic

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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

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5x40mm adaptés aux besoins du client forment les gaufrettes sic en cristal 4 puces de H-N Sic Substrates

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2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, plaquettes de carbure de silicium, SiC 4H-N, de qualité factice, Rrime, de haute dureté, matériaux semi-conducteurs.

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Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques

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Substrat 3C-SiC de type N, qualité produit pour les communications 5G

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Plaquette polie en carbure de silicium (SiC) transparent et incolore, de qualité optique, pour lentille, verres antireflet

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4 de H-N Type Semi-Insulating gaufrettes de carbure de silicium des substrats 2inch 3inch 4inch sic

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Wafer en carbure de silicium de 2 pouces SIC de type 4H-N pour appareil MOS Dia 0,4 mm

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