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PRODUITS

Gaufrette de saphir

6inch Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 Crystal Optical Transparency simple

Al2O3 Crystal Sapphire Wafer simple A 6inch plat 150mm

épaisseur simple plate de 8inch 0,725 Dia100mm C Crystal Sapphire Wafer 1300mm 1500mm

8inch Dia100mm 0001 Sapphire Wafer 1sp ou 2sp pour le transporteur de semi-conducteur

épaisseur Sapphire Wafer Quartz Glass 4inch de 100um 200um 300um 650um

4inch SSP Sapphire Wafer Quartz Glass Thickness 0.1mm 0.15mm 0.2mm

Sic substrat

2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production

Wafer de carbure de silicium Sic Substrate 4H-P Type hors axe 4,0° vers zéro Grade pour capteur de température

Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser

Wafer au carbure de silicium Sic 6H-P Type hors axe 2,0° vers la production Grade de recherche

2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut

2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

Saphir Windows optique

Al2O3 monocristallin poli Sapphire Glass Window Customzied Size

verre à hautes températures résistant à l'usure monocristallin d'Al2O3 Sapphire Glass Window

Lentille de Windows de clôture de Sapphire Optical pour l'équipement de vide

Valve hydraulique de Sapphire Optical Windows Flow Control de résistance à la corrosion

Sapphire Glass monocristalline polie avec le support 9,0 de soupape de commande

Équipement de Sapphire Glass Viewports For Vacuum à flasque par CF de la dureté 9,0

Gaufrette de silicium d'IC

Catégorie de perfection de lentille optique de gaufrette de silicium d'IC de 4 pouces pour l'optoélectronique

Le fil a vu la machine

Scie à fils multiples pour le traitement de la pierre naturelle

Sic machine de découpe de fil de diamant

Machine de sciage à fil diamanté simple / multiple pour le traitement de plaquettes de semi-conducteurs

Saphir synthétique Rod

- Passez à des amplificateurs le laser à rubis Rod/laser Rod rouge pour LED Eli - gaufrette prête multi

Saphir synthétique Rod de résistance chimique avec la conduction thermique élevée

Bâton optique adapté aux besoins du client de Rod de saphir synthétique de forme épaisseur de 0,1 - de 200mm

Saphir synthétique Rod de céramique électronique avec 99,999% matériaux Al2O3

Conduction thermique élevée de Rod de saphir synthétique du monocristal Al2O3

Plat de quartz fondu

Le quartz fondu de GE plaquent, glace optique 2 pouces et diamètre 100 millimètres

Pièces de saphir

Verre cristal du saphir Al2O3 A - orientation d'axe pour le film en verre protecteur de couverture de téléphone

La surface crue du diamètre 34.5mm de plat de saphir de montre-bracelet a enroulé le verre de la montre Al2O3 en cristal

Haut verre de couverture de saphir de constante diélectrique fortement anticorrosion

Surface polie transparente de résistance à l'usure en verre de couverture de saphir de boîtier de montre

Verre de couverture résistant à l'usure de saphir de scanner, déformation de lentille en verre optique basse

Épaisseur du diamètre 5mm Sapphire Cover Glass 0.3mm

Pierre gemme synthétique

Lab Sapphire Padparadscha Taille de pierre précieuse Couleur rose-orange

Saphir brut cultivé en laboratoire, non coupé Paparadscha rose-orange Al2O3 cristal unique Haute dureté

Les pierres précieuses de couleur artificielle rouges, le citron jaune, de coupe libre, de haute qualité, moins de bulles, utilisées comme matière première pour les bijoux

Champagne Moissanite pierre précieuse synthétique carbure de silicium SiC pierre précieuse brute Mohs9

YAG Lac bleu Laboratoire cultivé Yttrium aluminium pierre précieuse grenat pierres précieuses coupées pour la décoration Cerise Collier

La pierre précieuse synthétique Royal Blue Moissanite Carbure de silicium SiC Matériaux premiers Haute dureté Personnalisation

Équipement de semi-conducteur

Caméra VIS-NIR CCD Contour-IR Contour-M Caméra numérique 400-1700 nm Caméra multispectral

Le four CZ produit des cristaux de saphir de haute qualité

Machine de découpe laser de verre de grand format Équipement de découpe à grande vitesse avec haute précision

Modulateur de phase au niobate de lithium multibande de 40 GHz LNP6118 1310 nm-1550 nm

VIS-NIR caméra numérique CMOS proche infrarouge CONTOUR-IR caméra multispectral 400-1700nm

Le procédé de croissance des bulles Kyropoulos et les équipements de croissance

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de phosphure d'indium

Matériel de semi-conducteur de plats de GE excellent d'indium de gaufrette optique de phosphure

Épaisseur primaire/factice 350um de gaufrette de phosphure d'indium de catégorie pour le LD

3,58 substrat de cristal d'oxyde de magnésium de gaufrette du substrat de MgO de densité/MgO

Gaufrette noire de phosphure d'indium, gaufrette de semi-conducteur pour l'application de LD

substrat en céramique

Corrosion en céramique en céramique de carbure de substrat/silicium de taille faite sur commande excellente

Carbure de silicium adapté aux besoins du client de taille polissant la pureté en céramique de la voie de roulement 98%

Excellentes propriétés électriques de gaufrette en céramique du substrat Al2O3 pour les joints mécaniques

6 substrat en céramique de pouce 1.0mm, plat en céramique d'alumine pour le traitement de semi-conducteur

Emballage de laboratoire

Gaufrette de nitrure de gallium

gaufrette de calibre de GaN AlN de nitrure de gallium de 2inch 4Inch sur le saphir, substrats de SI

Le calibre de GaN élèvent l'orientation de coutume de puce de substrat de transporteur de saphir de l'application SSP

Gaufrette de GaN de nitrure de gallium de HVPE, position libre de puce de Gan taille de 10 x 10 millimètres

Gaufrette de nitrure de gallium de semi-conducteur, calibre N - type de substrat de GaN - 2 pouces

Semi - gaufrette isolante non dopée HVPE de nitrure de gallium et type de calibre

Gaufrette de GaAs

Diamètre 50.8mm gaufrette d'arséniure de gallium de 2 pouces pour le substrat de semi-conducteur

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