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Substrat de carbure de silicium 4H pour l'électronique de puissance, les dispositifs RF et l'optoélectronique UV
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Lentille optique Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forme et taille personnalisée 6SP Épaisseur 10.05
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De grande pureté de silicium de carbure gaufrette non dopée sic, substrat de carbure de silicium de 6Inch 4H-Semi sic
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Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais 350um de qualité Prime de qualité Dummy
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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance
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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice
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Dureté de la lentille 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de gaufrette sic polie par 4H-SEMI pour le matériel de dispositif
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gaufrette 10 x 10 x 0.5mm de carbure de silicium de 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC
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Type conducteur fait sur commande sic gaufrette pour photovoltaïque solaire à haute tension à hautes températures de dispositif de puissance
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12 pouces Sic Wafer Carbure de silicium 4H-N Type Grade de production Fausse qualité Grande taille
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Plaquette épitaxiale SiC 8 pouces, diamètre 200 mm, épaisseur 500 µm, type 4H-N
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Plaquette épitaxiale SiC 4 pouces 4H-N Diamètre 100mm Épaisseur 350μm Qualité Prime