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12 pouces 300 mm SiC Wafer de carbure de silicium 4H-N Type Dummy Prime de recherche de qualité multiples applications

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SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

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4 épaisseur de la gaufrette 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide pour l'électronique de puissance

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8 pouces SiC Epitaxial Substrate MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grand diamètre

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2 pouces 6H - semi consommation de puissance faible de gaufrette de carbure de silicium pour le détecteur

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Recherche de qualité SIC Substrats épitaxiaux

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