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4H-N SiC substrat Silicium Substrate de carbone Carré 5mm*5mm Épaisseur personnalisée 350um Prime Grade/ Dummy Grade

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Wafer de carbure de silicium Sic Substrate 4H-P Type hors axe 4,0° vers zéro Grade pour capteur de température

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2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut

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Option de substrat au carbure de silicium (SiC) pour des applications industrielles de haut niveau

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4 pouces 4H-N Silicium Carbide SiC Substrate Dia 100mm N type Prime Grade Dummy Grade Épaisseur 350um personnalisée

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Wafer de carbure de silicium SiC de 8 pouces 4H-N Type P / D / R Grade Mohs.9 Personnalisation de multiples applications

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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser

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acheter 4° En dehors de l'axe Le substrat SiC de 2 pouces Applications à haute température Wafer épitaxial fabrication en ligne Vidéo

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2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production

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6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production

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Substrate SiC 6 pouces 8 pouces 4H-SEMI pour lunettes AR de qualité optique

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3 pouces HPSI Carbure de silicium SiC épaisseur du substrat 500um qualité primaire qualité factice qualité de recherche qualité translucide

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