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Disque de coupe de substrat SiC 4H-SEMI Dia 10 mm Épaisseur 5 mm <0001> Haute dureté

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Wafer au carbure de silicium Sic 6H-P Type hors axe 2,0° vers la production Grade de recherche

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12 pouces 300 mm SiC Wafer de carbure de silicium 4H-N Type Dummy Prime de recherche de qualité multiples applications

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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12 pouces de diamètre 300 mm SIC Substrate épitaxial Wafer poli Silicium Carbide Ingot Prime Grade 4H-N Type conducteur solaire photovoltaïque

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Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance

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Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais 350um de qualité Prime de qualité Dummy

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Substrate SiC au carbure de silicium 4H-SEMI épaisseur 2 pouces Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice de 350um 500um

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4H-N SiC substrat Silicium Substrate de carbone Carré 5mm*5mm Épaisseur personnalisée 350um Prime Grade/ Dummy Grade

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Wafer de carbure de silicium Sic Substrate 4H-P Type hors axe 4,0° vers zéro Grade pour capteur de température

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2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut

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Option de substrat au carbure de silicium (SiC) pour des applications industrielles de haut niveau

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4 pouces 4H-N Silicium Carbide SiC Substrate Dia 100mm N type Prime Grade Dummy Grade Épaisseur 350um personnalisée

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Wafer de carbure de silicium SiC de 8 pouces 4H-N Type P / D / R Grade Mohs.9 Personnalisation de multiples applications

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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser

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4° En dehors de l'axe Le substrat SiC de 2 pouces Applications à haute température Wafer épitaxial

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HPSI SiC Wafer 2-12 Inch Optical Grade for AI/AR Glasses

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Recherche de qualité SIC Substrats épitaxiaux

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Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces

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CVD SiC épitaxy Wafer 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces épaisseur épitaxy 2,5 à 120 um pour l' électronique

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4H-N Silicium carbure SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 12 pouces Prime Grade Dummy Grade

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Pour la fabrication de plaquettes de carbure de silicium 6H de type P, qualité de production standard:145Épaisseur 350 μm ± 25 μm

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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production

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Wafer de carbure de silicium 4H P-type zéro MPD de qualité de production de qualité 4 pouces 6 pouces

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Wafer en carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Utilisation industrielle Avec une rugosité de surface ≤ 0,2 nm

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Équipement de liaison des plaquettes Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces

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Plaque porteuse à multi-plaquettes SiC Carbure de silicium sintré sans pression pour support de plaquette

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Plaquette épitaxiale SiC 4 pouces 4H-N Diamètre 100mm Épaisseur 350μm Qualité Prime

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