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Bon prix Wafer de carbure de silicium 4 pouces de diamètre x 350 µm type 4H-N grade P/R/D pour MOSEFTs/SBD/JBS en ligne
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gaufrette transparente non dopée factice de la pureté 4h-semi de carbure de silicium de catégorie de recherches de production grande sic

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2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production

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2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut

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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

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4H-N Silicium carbure SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 12 pouces Prime Grade Dummy Grade

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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser

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Substrat 3C-SiC de type N, qualité produit pour les communications 5G

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6 pouces de carbure de silicium 6H-P pour les systèmes de communication et de radar

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6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Zéro MPD Production, qualité de production standard

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Wafer de carbure de silicium Sic Substrate 4H-P Type hors axe 4,0° vers zéro Grade pour capteur de température

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2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrats 3C-N Type MOS Grade

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