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Mr. Wang

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[silicon substrate ]

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carbure de silicium de 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Wafersubstrate

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Épaisseur factice de la gaufrette Dia150mm 4H-N 500mm de substrat de la catégorie 6Inch sic

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gaufrette 10 x 10 x 0.5mm de carbure de silicium de 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

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‌6H-N Type SiC Wafer: 2-Inch Substrate, Thickness 350μm or 650μm‌

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Substrats DSP de gaufrettes de quartz de Sapphire Wafers BF33 de 12 pouces

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Wafer en carbure de silicium de 2 pouces 4H-P SIC pour photovoltaïque Épaisseur 350 μm Diamètre 50,8 mm Grade zéro

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Examinez la gaufrette de silicium monocristalline de catégorie, haute gaufrette de silicium de résistivité

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Double résistance à l'usure latérale polie de substrat de monocristal de la gaufrette Al2O3 de saphir

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Wafer de carbure de silicium 6 pouces Sic Single Crystal 150 mm de diamètre 3C-N Type de combinaison pour les systèmes de radar de communication

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55mm/1010mm épaisseur de la gaufre en carbure de silicium 350μm Sic 3C-N type haute résistance mécanique

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Plaquettes de quartz de qualité optique de 3 pouces, transmittance >92%, substrats en verre pour semi-conducteurs

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8 pouces SiC Epitaxial Substrate MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grand diamètre

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Système de séparation laser de substrats SiC de 6 pouces à 12 pouces pour plaquettes personnalisées

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Al2O3 99,999% Sous-strats de plaquettes de saphir à base de cristal unique de 4 pouces SSP/DSP Dia100mm

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Substrat de HVPE GaN ou gaufrette de GaN Template EPI pour des applications de rf

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Wafer saphir monocristallin de 2 pouces aux deux côtés poli Al2O3 99,999% substrat monocristallin

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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

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Wafer de carbure de silicium Sic Substrate 4H-P Type hors axe 4,0° vers zéro Grade pour capteur de température

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2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrats 3C-N Type MOS Grade

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Substrat SiC 6 pouces 4H-SEMI pour lunettes AR et appareils RF 5G

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catégorie de production de gaufrette de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate pour des dispositifs de radiofréquence

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adapté aux besoins du client 4 gaufrettes de carbure de silicium des substrats 4inch 6inch de H-N Type Semi-Insulating sic

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330um de l'épaisseur 4 de H-N Type catégorie Dia50.8mm 2inch de production de substrat sic

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2inch monocristal de catégorie de recherches du substrat 4H-Semi du diamètre 50.8mm sic

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4 de H-N Type Semi-Insulating gaufrettes de carbure de silicium des substrats 2inch 3inch 4inch sic

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Semi - substrat isolant de carbure de silicium, sic grande pureté de la gaufrette 4H

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Wafer en carbure de silicium 55mm/1010mm de type 4H-P de qualité de production pour électronique de puissance

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Wafer au carbure de silicium Sic 6H-P Type hors axe 2,0° vers la production Grade de recherche

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