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Dureté de la lentille 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de gaufrette sic polie par 4H-SEMI pour le matériel de dispositif

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SiC ingot de 6 pouces Ingot 4H-N SiC de première qualité Ingot de carbure de silicium de qualité fausse Ingot de haute dureté Ingot

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2 pouces 4H-N Silicium Carbide SiC Substrate épaisseur 350um 500um Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice

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4 pouces 4H-N Silicium Carbide SiC Substrate Dia 100mm N type Prime Grade Dummy Grade Épaisseur 350um personnalisée

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6 pouces 4H-N Carbure de silicium SiC Substrate Dia 150 mm Épaisseur 350um 500um N Type Prime Grade Dummy Grade

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Le four de culture de lingots SiC utilise les méthodes PVT, Lely TSSG et LPE pour faire pousser des cristaux de grande taille de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces

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Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline

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Plaquette épitaxiale SiC 4 pouces 4H-N Diamètre 100mm Épaisseur 350μm Qualité Prime

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2 pouces Sic Substrate 6H-N Type épaisseur 350um 650um Sic Wafer

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La taille adaptée aux besoins du client 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N ébrèche SIC des plats

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substrat de la résistivité >1E7ohm.cm sic par forme customzied

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résistivité 0.015-0.028ohm de substrat de 10x10mm 5x5mm sic. Le cm ou le >1E7ohm.Cm ébrèche sic

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Les appareils à semi-conducteurs au carbure de silicium ont des formes cristallines multiples 4H 6H 3C

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12 pouces 300 mm SiC Wafer de carbure de silicium 4H-N Type Dummy Prime de recherche de qualité multiples applications

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gaufrettes 6H de carbure de silicium 2Inch ou substrats de type n ou semi-isolants de 4H sic

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adapté aux besoins du client 4 gaufrettes de carbure de silicium des substrats 4inch 6inch de H-N Type Semi-Insulating sic

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Wafer en carbure de silicium 55mm/1010mm de type 4H-P de qualité de production pour électronique de puissance

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Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais 350um de qualité Prime de qualité Dummy

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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production

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Plaquette SiC HPSI 2-12 pouces de qualité optique pour lunettes IA/RA

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2/4/6/8 pouces Sic Carbure de silicium Substrate de graines de cristal 4H-N Type Haute dureté P Grade R Grade D Grade

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Diamètre de la gaufre épitaxienne SiC de 6 pouces 150 mm 4H-N Type 4H-P Type pour la communication 5G

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Substrate de gaufre épitaxienne SiC Applications industrielles de semi-conducteurs 4H-N

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Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance

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