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Bon prix Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G En ligne
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Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production

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Plaquette épitaxiale SiC de type 4H-N de 2 pouces de diamètre (50,8 mm) pour capteurs haute température

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Plaque porteuse à multi-plaquettes SiC Carbure de silicium sintré sans pression pour support de plaquette

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Machine de collage par pulvérisation entièrement automatique SiC pour les applications de plaques de wafer et de graphite de haute précision

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Substrat 3C-SiC de type N, qualité produit pour les communications 5G

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Substrate SiC 6 pouces 8 pouces 4H-SEMI pour lunettes AR de qualité optique

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Acheter Effectant d'extrémité en céramique SiC pour la manipulation des wafers - Résistant à la corrosion et à la chaleur pour le traitement des semi-conducteurs fabrication en ligne Vidéo

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Acheter 4° En dehors de l'axe Le substrat SiC de 2 pouces Applications à haute température Wafer épitaxial fabrication en ligne Vidéo

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Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance

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Effecteur d'extrémité en SiC de haute pureté pour la manipulation de plaquettes, fourche résistante à la corrosion et à la chaleur pour le traitement des semi-conducteurs

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4 pouces Si Wafer Dia 100mm Épaisseur 350um Orientation <100> DSP SSP Wafers de silicium personnalisés N type type P

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​​8Inch Wafer Transport Cassette Box 200mm Corrosion-Resistant High-Temperature Rated​​

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