Votre quête [ 4H SiC ] correspondance
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catégorie de production de gaufrette de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate pour des dispositifs de radiofréquence
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2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production
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Gaufrette de carbure de silicium de SIC de substrat de semi-conducteur de 4H-N 8inch pour photovoltaïque solaire
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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser
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12 pouces de diamètre 300 mm SIC Substrate épitaxial Wafer poli Silicium Carbide Ingot Prime Grade 4H-N Type conducteur solaire photovoltaïque
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Wafer SiC de type 6H-N: substrat de 2 pouces, épaisseur 350 μm ou 650 μm
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type de 2inch 3inch Dia100m 4H-N catégorie de production de gaufrette de carbure de silicium pour le dispositif de semi-conducteur
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Vidéo
De 4 H-N Production Grade Dummy de catégorie gaufrette 8inch Dia200mm de substrat sic
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résistivité 0.015-0.028ohm de substrat de 10x10mm 5x5mm sic. Le cm ou le >1E7ohm.Cm ébrèche sic
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Wafer de carbure de silicium 4 pouces de diamètre x 350 µm type 4H-N grade P/R/D pour MOSEFTs/SBD/JBS
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Lentille adaptée aux besoins du client sans couleur transparente de HPSI 4H-SEMI SIC
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Le four de culture de lingots SiC utilise les méthodes PVT, Lely TSSG et LPE pour faire pousser des cristaux de grande taille de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces